NEO Semiconductor skruer op for hukommelsen med ny 3D X-DRAM teknologi
DRAM-hukommelse er på vej til at få en kæmpe opgradering, hvis NEO Semiconductors nye 3D X-DRAM design holder, hvad det lover. Den innovative chipproducent har netop præsenteret to nye typer hukommelsesceller, kaldet 1T1C og 3T0C, som begge sigter mod at revolutionere, hvor meget data vi kan have lige ved hånden.
10 gange mere plads – på et enkelt modul!
Hvor almindelige DRAM-moduler kæmper med kapaciteter i den lave gigabyte-ende, lover NEO med sine nye 3D X-DRAM-celler op til hele 512 Gb, eller 64 GB, pr. modul. Det er en markant forøgelse – faktisk ti gange mere end hvad vi normalt ser på markedet i dag. Forestil dig at kunne smække 10 gange så meget RAM i din gaming-PC eller workstation uden at det fylder mere fysisk!
Hvor hurtig er den så?
Men det er ikke kun kapaciteten, der imponerer. Ifølge NEOs test-simuleringer kan denne hukommelse læse og skrive data på lynhurtige 10 nanosekunder. Samtidig kan den holde på data i over 9 minutter uden strøm, hvilket er ret banebrydende for DRAM-standarden, hvor data normalt forsvinder meget hurtigere.
En ny slags DRAM bygget som 3D NAND
Den hemmelige ingrediens bag denne hukommelsesmirakel er et materiale, der normalt forbindes med skærmteknologi: indium gallium zink oxid (IGZO). Ved at bygge hukommelsescellerne i en stakket 3D NAND-lignende struktur, kan NEO både øge kapaciteten og samtidig holde strømforbruget i ro. Det betyder, at fremtidens RAM måske ikke bare bliver større og hurtigere, men også mere energieffektivt.
Nem opgradering for fabrikkerne
En smart detalje ved designet er, at NEO har tilpasset det til at kunne produceres på eksisterende 3D NAND-fabrikker. Det gør det potentielt nemmere og hurtigere at rulle teknologien ud i stor skala – uden at skulle bygge helt nye fabrikker fra bunden.
DRAM-kampen er i gang
NEOs CEO, Andy Hsu, er ikke bleg for at kalde det en gamechanger, der kan udfordre traditionelle DRAM-løsninger. Det bliver spændende at følge, om 1T1C-cellen kan true nuværende standarder, især da markedet allerede er fyldt med andre hukommelsesteknologier som FeRAM og de store spillere som SK hynix, der fortsat satser på at udvikle klassisk DRAM.
NEO vil dele flere detaljer om deres nye 3D X-DRAM og relaterede teknologier ved IEEE IMW-konferencen senere i år, så PC-gaming-verdenen og teknologinørder har noget at glæde sig til. Med løftet om op til 512 GB RAM på ét modul kan vi måske snart se en ny æra for både gaming, AI og tung databehandling.
Hold øje med TechSteren.dk for flere opdateringer om næste generations hukommelsesteknologi!
